MRF6V12250HR5参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF6V12250HR5概述

晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780H-2L

得捷:
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780

立创商城:
MRF6V12250HR5

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin NI-780 T/R

Verical:
Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin Case 465-06 T/R

RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 275 W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792

MRF6V12250HR5中文资料参数规格

技术参数

频率 1.03 GHz

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 2

输出功率 275 W

增益 20.3 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780H-2L

外形尺寸

封装 NI-780H-2L

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6V12250HR5

型号： MRF6V12250HR5

描述：晶体管, 射频FET, 100 VDC, 960 MHz, 1215 MHz, NI-780

替代型号MRF6V12250HR5