MMRF1004NR1

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MMRF1004NR1概述

RF MOSFET Transistors MOSFET 1600-2200MHz 10W 28V

RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2


得捷:
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2


立创商城:
MMRF1004NR1


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 68V 2-Pin TO-270 T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1600 to 2200 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732


MMRF1004NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 2.17 GHz

输出功率 10 W

增益 15.5 dB

测试电流 130 mA

输入电容Ciss 120pF @28VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 68 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 TO-270-2

外形尺寸

封装 TO-270-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1004NR1
型号: MMRF1004NR1
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF MOSFET Transistors MOSFET 1600-2200MHz 10W 28V

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