射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS
RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 1.93GHz ~ 1.99GHz 16dB 29W NI-880S
得捷:
FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R
Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R
频率 1.93GHz ~ 1.99GHz
额定电压DC 28.0 V
额定电流 10 µA
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 52.8 W
漏源极电压Vds 28.0 V
输出功率 29 W
增益 16 dB
测试电流 1.15 A
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 68 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-880S-3
长度 23.24 mm
宽度 13.8 mm
高度 5.08 mm
封装 NI-880S-3
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MRF6S19140HSR3 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRF6S18140HSR3 恩智浦 | 功能相似 | MRF6S19140HSR3和MRF6S18140HSR3的区别 |