MRF6V14300HSR5

MRF6V14300HSR5图片1
MRF6V14300HSR5图片2
MRF6V14300HSR5图片3
MRF6V14300HSR5概述

RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 330W, Typ Gain in dB is 18 @ 1400MHz, 50V, LDMOS, SOT1793

RF Mosfet LDMOS 50V 150mA 1.4GHz 18dB 330W NI-780S


得捷:
RF MOSFET LDMOS 50V NI-780S


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 3-Pin NI-780S T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3-Pin NI-780S T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 3-Pin NI-780S T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1200 to 1400 MHz, 330 W, Typ Gain in dB is 18 @ 1400 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1793


Win Source:
RF MOSFET LDMOS 50V NI-780S / RF Mosfet LDMOS 50 V 150 mA 1.4GHz 18dB 330W NI-780S


MRF6V14300HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.4 GHz

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 330 W

增益 18 dB

测试电流 150 mA

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6V14300HSR5
型号: MRF6V14300HSR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 330W, Typ Gain in dB is 18 @ 1400MHz, 50V, LDMOS, SOT1793

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台