MMRF1020-04GNR3

MMRF1020-04GNR3概述

RF Power Transistor,720 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.5 @ 920MHz, 48V, LDMOS, SOT1825

RF Mosfet LDMOS(双) 48 V 860 mA 920MHz 19.5dB 100W OM-780G-4L


得捷:
FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin OM-780G EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor,720 to 960 MHz, 200 W, Typ Gain in dB is 19.5 @ 920 MHz, 48 V, LDMOS, SOT1825


MMRF1020-04GNR3中文资料参数规格
技术参数

频率 920 MHz

输出功率 100 W

增益 19.5 dB

测试电流 860 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 105 V

电源电压 48 V

封装参数

引脚数 5

封装 OM-780G-4L

外形尺寸

封装 OM-780G-4L

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1020-04GNR3
型号: MMRF1020-04GNR3
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,720 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.5 @ 920MHz, 48V, LDMOS, SOT1825

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