MRF8S21140HR3

MRF8S21140HR3图片1
MRF8S21140HR3概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780 T/R

RF Mosfet LDMOS 28V 970mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780H-2L


得捷:
FET RF 65V 2.14GHZ NI780


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R


Win Source:
FET RF 65V 2.14GHZ NI780 / RF Mosfet LDMOS 28 V 970 mA 2.14GHz 17.9dB 34W NI-780H-2L


MRF8S21140HR3中文资料参数规格
技术参数

频率 2.14 GHz

输出功率 34 W

增益 17.9 dB

测试电流 970 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780H-2L

外形尺寸

高度 4.32 mm

封装 NI-780H-2L

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF8S21140HR3
型号: MRF8S21140HR3
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780 T/R
替代型号MRF8S21140HR3
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