MMRF1015NR1

MMRF1015NR1图片1
MMRF1015NR1图片2
MMRF1015NR1图片3
MMRF1015NR1概述

晶体管, 射频FET, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270

RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2


得捷:
FET RF 68V 960MHZ TO270


e络盟:
晶体管, 射频FET, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R


安富利:
Trans RF FET N-CH 68V 2-Pin TO-270 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1 to 2000 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 18 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732


MMRF1015NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 960 MHz

针脚数 2

漏源极电压Vds 270 mV

输出功率 10 W

增益 18 dB

测试电流 125 mA

输入电容Ciss 23pF @28VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 68 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 TO-270-2

外形尺寸

封装 TO-270-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1015NR1
型号: MMRF1015NR1
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管, 射频FET, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司