



RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 500W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1792
RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780H-2L
得捷:
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
立创商城:
MRF6V12500HR5
艾睿:
Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780H T/R
Verical:
Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780 T/R
RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 500 W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792
频率 1.03 GHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 500 W
增益 19.7 dB
测试电流 200 mA
输入电容Ciss 1391pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 110 V
电源电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-780H-2L
封装 NI-780H-2L
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MRF6V12500HR5 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRF6V12500HR3 恩智浦 | 完全替代 | MRF6V12500HR5和MRF6V12500HR3的区别 |