MRF6V12500HR5

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MRF6V12500HR5概述

RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 500W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1792

RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780H-2L


得捷:
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H


立创商城:
MRF6V12500HR5


艾睿:
Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780H T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 500 W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792


MRF6V12500HR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.03 GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 500 W

增益 19.7 dB

测试电流 200 mA

输入电容Ciss 1391pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-780H-2L

外形尺寸

封装 NI-780H-2L

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6V12500HR5
型号: MRF6V12500HR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,960 to 1215MHz, 500W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1792
替代型号MRF6V12500HR5
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MRF6V12500HR5

NXP 恩智浦

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恩智浦

完全替代

MRF6V12500HR5和MRF6V12500HR3的区别

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