MRF6V3090NBR5

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MRF6V3090NBR5概述

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R

* Capable of Handling 10:1 VSWR, All Phase Angles, @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 Watts CW Output Power * Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters * Internally Input Matched for Ease of Use * Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation * Integrated ESD Protection * Excellent Thermal Stability * Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation


得捷:
FET RF 110V 860MHZ TO272-4


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 4-Pin TO-272 T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R


MRF6V3090NBR5中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

无卤素状态 Halogen Free

漏源极电压Vds 110 V

输出功率 18 W

增益 22 dB

测试电流 350 mA

输入电容Ciss 591pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 TO-270-4

外形尺寸

高度 2.64 mm

封装 TO-270-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF6V3090NBR5
型号: MRF6V3090NBR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R
替代型号MRF6V3090NBR5
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MRF6V3090NBR5和MRF6V3090NBR1的区别

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