MMRF1304LR5

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MMRF1304LR5概述

RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1791

RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.9dB 25W NI-360


得捷:
FET RF 133V 512MHZ NI-360


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 140V 2-Pin NI-360 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1791


MMRF1304LR5中文资料参数规格
技术参数

频率 512 MHz

输出功率 25 W

增益 25.9 dB

测试电流 10 mA

输入电容Ciss 39pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-360

外形尺寸

封装 NI-360

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1304LR5
型号: MMRF1304LR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1.8 to 2000MHz, 25W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512MHz, 50V, LDMOS, SOT1791

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