MRF6VP41KHSR5参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF6VP41KHSR5概述

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50V

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 150mA 450MHz 20dB 1000W NI-1230S

得捷:
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230S T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230S T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230S T/R

MRF6VP41KHSR5中文资料参数规格

技术参数

频率 450 MHz

额定电流 5 mA

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 1000 W

增益 20 dB

测试电流 150 mA

输入电容Ciss 506pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230S

外形尺寸

封装 NI-1230S

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6VP41KHSR5

型号： MRF6VP41KHSR5

描述：Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50V

替代型号MRF6VP41KHSR5