MMRF1009HSR5

MMRF1009HSR5图片1
MMRF1009HSR5图片2
MMRF1009HSR5图片3
MMRF1009HSR5概述

RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 500W 50V

RF Mosfet LDMOS 50V 200mA 1.03GHz 19.7dB 500W NI-780S


得捷:
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780S T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R


RfMW:
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 500 W, Typ Gain in dB is 19.7 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1793


MMRF1009HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.03 GHz

输出功率 500 W

增益 19.7 dB

测试电流 200 mA

输入电容Ciss 1391pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1009HSR5
型号: MMRF1009HSR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 500W 50V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司