MRF8P9210NR3

MRF8P9210NR3图片1
MRF8P9210NR3概述

RF Power Transistor,920 to 960MHz, 193W, Typ Gain in dB is 16.7 @ 960MHz, 28V, LDMOS, SOT1818

RF Mosfet N 通道 960MHz 16.8dB 63W NI-780-4


得捷:
FET RF 2CH 70V 960MHZ OM780-4


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin OM-780 EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH -0.5V/70V 4-Pin OM-780 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin OM-780 EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor,920 to 960 MHz, 193 W, Typ Gain in dB is 16.7 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1818


MRF8P9210NR3中文资料参数规格
技术参数

频率 960 MHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 63 W

增益 16.8 dB

测试电流 750 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 70 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 NI-780-4

外形尺寸

封装 NI-780-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF8P9210NR3
型号: MRF8P9210NR3
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,920 to 960MHz, 193W, Typ Gain in dB is 16.7 @ 960MHz, 28V, LDMOS, SOT1818

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