MMBT4403WT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT4403WT1概述

开关晶体管PNP硅 Switching Transistor PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 150mW Surface Mount SC-70 SOT323

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 40V PNP

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R

MMBT4403WT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMBT4403WT1

型号： MMBT4403WT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：开关晶体管PNP硅 Switching Transistor PNP Silicon

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替代型号MMBT4403WT1

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MMBT4403WT1G 安森美	类似代替	MMBT4403WT1和MMBT4403WT1G的区别

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