MRFE6VP5300GNR1

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MRFE6VP5300GNR1概述

RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

RF Mosfet LDMOS(双) 50 V 100 mA 230MHz 27dB 300W TO-270 WB-4 鸥翼形


得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736


MRFE6VP5300GNR1中文资料参数规格
技术参数

频率 230 MHz

耗散功率 909000 mW

输出功率 300 W

增益 27 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 168pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 909000 mW

额定电压 133 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 TO-270

外形尺寸

封装 TO-270

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRFE6VP5300GNR1
型号: MRFE6VP5300GNR1
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25 @ 230MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

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