MMRF1310HR5概述
RF Power Transistor,1.8 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25 @ 130MHz, 50V, LDMOS, SOT1827
RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4
得捷:
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH -0.5V/133V 4-Pin NI-780H T/R
RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
MMRF1310HR5中文资料参数规格
技术参数
频率 230 MHz
耗散功率 1050000 mW
输出功率 300 W
增益 26.5 dB
测试电流 100 mA
输入电容Ciss 188pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1050000 mW
额定电压 133 V
电源电压 50 V
封装参数
引脚数 5
封装 NI-780-4
外形尺寸
封装 NI-780-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99