MRF8S21120HR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF8S21120HR3概述

W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V

RF Mosfet LDMOS 28V 850mA 2.17GHz 17.6dB 28W NI-780H-2L

得捷:
FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R

MRF8S21120HR3中文资料参数规格

技术参数

频率 2.17 GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 28 W

增益 17.6 dB

测试电流 850 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-780H-2L

外形尺寸

封装 NI-780H-2L

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF8S21120HR3

型号： MRF8S21120HR3

描述：W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V

替代型号MRF8S21120HR3