MMRF1018NR1

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MMRF1018NR1概述

RF Power Transistor,470 to 860MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

RF Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-270 WB-4


得捷:
FET RF 120V 860MHZ


艾睿:
RF Power LDMOS Transistors


RfMW:
RF Power Transistor,470 to 860 MHz, 90 W, Typ Gain in dB is 22 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736


MMRF1018NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 18 W

增益 22 dB

测试电流 350 mA

额定电压 120 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 TO-270-4

外形尺寸

封装 TO-270-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMRF1018NR1
型号: MMRF1018NR1
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,470 to 860MHz, 90W, Typ Gain in dB is 22 @ 860MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

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