晶体管, 射频FET, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
RF Mosfet LDMOS(双) 50 V 100 mA 230MHz 26.1dB 150W TO-270 WB-4
得捷:
RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB T/R
Verical:
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
RfMW:
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 150 W, Typ Gain in dB is 26.3 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1736
频率 230 MHz
针脚数 4
耗散功率 952 W
输出功率 150 W
增益 26.1 dB
测试电流 100 mA
输入电容Ciss 96.7pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 952000 mW
额定电压 133 V
电源电压 50 V
引脚数 5
封装 TO-270
封装 TO-270
重量 1634.95 mg
工作温度 -40℃ ~ 225℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MRFE6VP5150NR1 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MRF6V2150NR1 恩智浦 | 类似代替 | MRFE6VP5150NR1和MRF6V2150NR1的区别 |