MRF8S23120HSR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF8S23120HSR3概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780S T/R

RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780S

得捷:
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R

Win Source:
FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S / RF Mosfet LDMOS 28 V 800 mA 2.3GHz 16dB 28W NI-780S

MRF8S23120HSR3中文资料参数规格

技术参数

频率 2.3 GHz

输出功率 28 W

增益 16 dB

测试电流 800 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 3

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF8S23120HSR3

型号： MRF8S23120HSR3

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780S T/R

替代型号MRF8S23120HSR3