MMUN2116LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMUN2116LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 246 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160

最大电流放大倍数hFE 160

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MMUN2116LT1

型号： MMUN2116LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

替代型号MMUN2116LT1