MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR图片1
MT47H256M4HQ-5E:E TR图片2
MT47H256M4HQ-5E:E TR概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 256M x 4 Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA 8x11.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA


MT47H256M4HQ-5E:E TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 400MHz max

存取时间 600 ps

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT47H256M4HQ-5E:E TR
型号: MT47H256M4HQ-5E:E TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台