MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

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MT29F512G08CKCCBH7-6R:C概述

Flash 3.3V 512G-bit 64G x 8 152Pin TBGA

FLASH - NAND Memory IC 512Gb 64G x 8 Parallel 166MHz 152-TBGA 14x18


得捷:
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA


艾睿:
Flash 3.3V 512G-bit 64G x 8 152-Pin TBGA


Verical:
Flash 3.3V 512G-bit 64G x 8 152-Pin TBGA


MT29F512G08CKCCBH7-6R:C中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3.30 V

内存容量 64000000000 B

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 152

封装 TBGA

外形尺寸

封装 TBGA

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
型号: MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
制造商: Micron 镁光
描述:Flash 3.3V 512G-bit 64G x 8 152Pin TBGA
替代型号MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT29F512G08CKCABH7-6:A

镁光

完全替代

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C和MT29F512G08CKCABH7-6:A的区别

MT29F512G08CKCABH7-6R:A

镁光

完全替代

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C和MT29F512G08CKCABH7-6R:A的区别

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