MSC2295-BT1

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MSC2295-BT1概述

NPN射频放大器晶体管表面贴装 NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 30mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 70~140 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount 描述与应用| NPN RF放大器 表面贴装

MSC2295-BT1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SC-59-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MSC2295-BT1
型号: MSC2295-BT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:NPN射频放大器晶体管表面贴装 NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount

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