MMRF1314HSR5

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MMRF1314HSR5概述

RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 1200MHz, 52V, LDMOS, SOT1829

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 500mA 1.4GHz 17.7dB 1000W NI-1230-4S


得捷:
TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V


艾睿:
RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs


安富利:
Trans RF FET N-CH 105V 4-Pin NI-1230H T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1200 to 1400 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 1200 MHz, 52 V, LDMOS, SOT1829


MMRF1314HSR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.4 GHz

输出功率 1000 W

增益 17.7 dB

测试电流 500 mA

耗散功率Max 909 W

额定电压 105 V

电源电压 52 V

封装参数

引脚数 4

封装 NI-1230-4S

外形尺寸

封装 NI-1230-4S

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMRF1314HSR5
型号: MMRF1314HSR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 1200MHz, 52V, LDMOS, SOT1829

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