GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960MHz, 72W CW, 28V
RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 920MHz 19.3dB 72W NI-780S
得捷: FET RF 70V 920MHZ NI-780S
艾睿: Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin NI-780S T/R
频率 920 MHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 72 W
增益 19.3 dB
测试电流 500 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 70 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-780S
高度 4.32 mm
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册