MRF6V13250HSR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF6V13250HSR3概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 22.7dB 250W NI-780S

得捷:
FET RF 120V 1.3GHZ NI780S

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS

MRF6V13250HSR3中文资料参数规格

技术参数

频率 1.3 GHz

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 476 W

输出功率 250 W

增益 22.7 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 120 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF6V13250HSR3

型号： MRF6V13250HSR3

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS