


闪存, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8位, 并行, VFBGA, 63 引脚
闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)
得捷:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
立创商城:
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray
安富利:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin VFBGA Tray
Chip1Stop:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray
Verical:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray
Win Source:
IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
工作电压 3.30 V
供电电流 35 mA
针脚数 63
位数 8
存取时间 25 ns
内存容量 250000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 VFBGA-63
封装 VFBGA-63
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 3A991.b.1.a
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Micron 镁光 | 当前型号 | 当前型号 |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR 镁光 | 完全替代 | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E和MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR的区别 |
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E 镁光 | 完全替代 | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E和MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E的区别 |
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E 镁光 | 类似代替 | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E和MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E的区别 |