MT29F1G08ABBDAH4:D参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT29F1G08ABBDAH4:D概述

Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63

FLASH - NAND Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 63-VFBGA 9x11

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MT29F1G08ABBDAH4:D

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IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

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SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA Tray

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SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA Tray

MT29F1G08ABBDAH4:D中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.80 V

内存容量 125000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买MT29F1G08ABBDAH4:D

型号： MT29F1G08ABBDAH4:D

描述：Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63

替代型号MT29F1G08ABBDAH4:D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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MT29F1G08ABBDAHC:D 镁光	完全替代	MT29F1G08ABBDAH4:D和MT29F1G08ABBDAHC:D的区别
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