MIC4609YWM-TR

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MIC4609YWM-TR概述

600V 3-PHASE MOSFET/IGBT DRIVER

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 28-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC


立创商城:
MIC4609YWM-TR


贸泽:
Gate Drivers 600V 3 Phase MOSFET/IGBT Driver


艾睿:
Driver 1A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Non-Inv 28-Pin SOIC W T/R


安富利:
MOSFET DRVR 1A 6-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 28-Pin SOIC W T/R


TME:
Driver; gate driver; 1A; Channels:6; 10÷20V; SO28-W


Verical:
Driver 1A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Non-Inv 28-Pin SOIC W T/R


Newark:
# MICROCHIP  MIC4609YWM-TR  MOSFET/IGBT DRIVER, 3PH BRIDGE, WSOIC-28 New


MIC4609YWM-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 6

下降时间Max 60 ns

上升时间Max 60 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 SOIC-28

外形尺寸

封装 SOIC-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MIC4609YWM-TR
型号: MIC4609YWM-TR
制造商: Microchip 微芯
描述:600V 3-PHASE MOSFET/IGBT DRIVER

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