M29W040B90N1T参数规格_中文资料_数据手册PDF

M29W040B90N1T中文资料参数规格

技术参数

存取时间 90.0 ns

内存容量 4000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-32

外形尺寸

封装 TSOP-32

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买M29W040B90N1T

型号： M29W040B90N1T

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：4兆位512KB ×8 ，统一座低压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

替代型号M29W040B90N1T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M29W040B90N1T ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
M29W040B120N1T 意法半导体	功能相似	M29W040B90N1T和M29W040B120N1T的区别
AT49BV040A-90TU 爱特美尔	功能相似	M29W040B90N1T和AT49BV040A-90TU的区别

型号/品牌

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M29W040B90N1T

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

M29W040B120N1T

意法半导体

功能相似

AT49BV040A-90TU

爱特美尔

功能相似