MRF8372R2

MRF8372R2图片1
MRF8372R2概述

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF NPN 16V 200mA 870MHz 2.2W 表面贴装型 8-SO


得捷:
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO


贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor


Win Source:
TRANS NPN 16V 200MA SO8


MRF8372R2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 16 V

增益 8dB ~ 9.5dB

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 5V

额定功率Max 2.2 W

耗散功率Max 2.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF8372R2
型号: MRF8372R2
描述:射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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