射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
RF NPN 16V 200mA 870MHz 2.2W 表面贴装型 8-SO
得捷: RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
贸泽: RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
Win Source: TRANS NPN 16V 200MA SO8
击穿电压集电极-发射极 16 V
增益 8dB ~ 9.5dB
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 5V
额定功率Max 2.2 W
耗散功率Max 2.2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册