MV2N4857参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MV2N4857概述

n Channel Jfet

JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans JFET N-CH 40V 3-Pin TO-18 Bag

富昌:
Transistor

MV2N4857中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 40 Ω

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 18pF @10VVds

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MV2N4857

型号： MV2N4857

制造商： Microsemi 美高森美

描述：n Channel Jfet

替代型号MV2N4857

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MV2N4857 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
MX2N4857 美高森美	完全替代	MV2N4857和MX2N4857的区别
2N4857 美高森美	完全替代	MV2N4857和2N4857的区别
JANTX2N4857 美高森美	类似代替	MV2N4857和JANTX2N4857的区别