MCCD2005-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MCCD2005-TP图片1

MCCD2005-TP概述

MOSFET 8A,20V Dual N Chann Mosfet,

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 20V 8A - 表面贴装型 DFN2030-6

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 8A

贸泽:
MOSFET 8A,20V Dual N Chann Mosfet,

MCCD2005-TP中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1800pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WFDFN-6

外形尺寸

封装 WFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MCCD2005-TP

型号： MCCD2005-TP

制造商： Micro Commercial Components 美微科

描述：MOSFET 8A,20V Dual N Chann Mosfet,