MAGX-001214-250L00概述
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管250W峰值， 1400至00年兆赫， 300μs脉冲， 10 ％占空比 GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 250W Peak, 1200-1400 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty
RF Mosfet HEMT 50V 250mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17.6dB 250W
得捷:
TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ
Chip1Stop:
Trans JFET 8.8A GaN HEMT 3-Pin
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型号： MAGX-001214-250L00
制造商：
M/A-Com
描述：氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管250W峰值， 1400至00年兆赫， 300μs脉冲， 10 ％占空比 GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 250W Peak, 1200-1400 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty