M36W108AT100ZM6T参数规格_中文资料_数据手册PDF

M36W108AT100ZM6T中文资料参数规格

技术参数

电源电压 3.3 V

封装参数

封装 LBGA

外形尺寸

封装 LBGA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买M36W108AT100ZM6T

型号： M36W108AT100ZM6T

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：8兆位1Mb的X8 ，引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory Product

替代型号M36W108AT100ZM6T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M36W108AT100ZM6T ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
M36W108AT100ZM1T 意法半导体	功能相似	M36W108AT100ZM6T和M36W108AT100ZM1T的区别
210-710 富士通	功能相似	M36W108AT100ZM6T和210-710的区别

型号/品牌

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M36W108AT100ZM6T

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

M36W108AT100ZM1T

意法半导体

功能相似

210-710

富士通

功能相似