MRF6S21190HSR3

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MRF6S21190HSR3概述

Trans RF MOSFET N-CH 68V 3Pin NI-880S T/R

RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 54W NI-880S


得捷:
FET RF 68V 2.17GHZ NI880S


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R


MRF6S21190HSR3中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

无卤素状态 Halogen Free

输出功率 54 W

增益 16 dB

测试电流 1.6 A

输入电容Ciss 526pF @28VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 68 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 NI-880S

外形尺寸

封装 NI-880S

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF6S21190HSR3
型号: MRF6S21190HSR3
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 68V 3Pin NI-880S T/R

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