射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780
RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 1.93GHz 16.5dB 125W NI-780H-2L
得捷: FET RF 65V 1.93GHZ NI780
贸泽: 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780
安富利: MOTMRF7S18125BHR5
频率 1.93 GHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 125 W
增益 16.5 dB
测试电流 1.1 A
工作温度Max 150 ℃
额定电压 65 V
安装方式 Surface Mount
封装 NI-780-2
工作温度 -65℃ ~ 225℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册