MT49H32M18BM-18:B TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT49H32M18BM-18:B TR概述

IC RLDRAM 576Mbit 1.875NS UBGA

DRAM Memory IC 576Mb 32M x 18 Parallel 533MHz 15ns 144-µBGA 18.5x11

得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA

Win Source:
IC RLDRAM 576MBIT 1.875NS UBGA

MT49H32M18BM-18:B TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

MT49H32M18BM-18:B TR引脚图与封装图

在线购买MT49H32M18BM-18:B TR

型号： MT49H32M18BM-18:B TR

描述：IC RLDRAM 576Mbit 1.875NS UBGA