MT49H64M9BM-25:B

MT49H64M9BM-25:B概述

DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 64Mx9 1.8V 144Pin MBGA Tray

DRAM Memory IC 576Mb 64M x 9 Parallel 400MHz 20ns 144-µBGA 18.5x11


得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 64Mx9 1.8V 144-Pin MBGA Tray


MT49H64M9BM-25:B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT49H64M9BM-25:B
型号: MT49H64M9BM-25:B
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 64Mx9 1.8V 144Pin MBGA Tray
替代型号MT49H64M9BM-25:B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT49H64M9BM-25:B

Micron 镁光

当前型号

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MT49H64M9FM-25E:B

镁光

完全替代

MT49H64M9BM-25:B和MT49H64M9FM-25E:B的区别

MT49H64M9FM-25:B

镁光

完全替代

MT49H64M9BM-25:B和MT49H64M9FM-25:B的区别

MT49H64M9CBM-25E:A

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