MMDT3906-7-F

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MMDT3906-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买MMDT3906-7-F
型号: MMDT3906-7-F
制造商: Multicomp
描述:Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -40V, 200mW, -200mA, 30 hFE, SOT-363

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