MBT3946DW1T2参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MBT3946DW1T2图片1

MBT3946DW1T2中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买MBT3946DW1T2

型号： MBT3946DW1T2

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

替代型号MBT3946DW1T2

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MBT3946DW1T2 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MBT3946DW1T1G 安森美	类似代替	MBT3946DW1T2和MBT3946DW1T1G的区别
MBT3946DW1T2G 安森美	类似代替	MBT3946DW1T2和MBT3946DW1T2G的区别
MMDT3946-TP 美微科	类似代替	MBT3946DW1T2和MMDT3946-TP的区别