MJD2955-001G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MJD2955-001G中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DPAK-3

外形尺寸

封装 DPAK-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买MJD2955-001G

型号： MJD2955-001G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications