MG17150D-BN4MM参数规格_中文资料_数据手册PDF

MG17150D-BN4MM概述

IGBT 模块 1700V 150A IGBT

IGBT 模块沟槽型场截止半桥底座安装 D3

得捷:
IGBT MODULE 1700V 250A 890W D3

贸泽:
IGBT 模块 1700V 150A IGBT

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 250A 890000mW Medical 7-Pin Bulk

MG17150D-BN4MM中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 890 W

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 13.6nF @25V

额定功率Max 890 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 890000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 D-3

外形尺寸

封装 D-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： MG17150D-BN4MM

描述：IGBT 模块 1700V 150A IGBT