Trans Rf Bipo 600mW 300mA M115
RF NPN 20V 300mA 1.09GHz 600mW 底座安装 M115
得捷: RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115
击穿电压集电极-发射极 20 V
增益 10.8 dB
最小电流放大倍数hFE 15 @100mA, 5V
额定功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
封装 M115
工作温度 200℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
MS2204
Microsemi 美高森美
当前型号
MS2290
美高森美
完全替代