MCH3319

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MCH3319概述

MCH3319 P沟道MOS场效应管 -12V -2.6A 0.075ohm SOT-323 marking/标记 JU 低导通电阻 超高速开关 1.8V驱动

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.075 @-1.3A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. 描述与应用| •低导通电阻。 •超高速开关。 •1.8V驱动


MCH3319中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: MCH3319
制造商: Sanyo Semiconductor 三洋
描述:MCH3319 P沟道MOS场效应管 -12V -2.6A 0.075ohm SOT-323 marking/标记 JU 低导通电阻 超高速开关 1.8V驱动

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