MMFT3055VL

MMFT3055VL图片1
MMFT3055VL概述

MMFT3055VL N沟道MOSFET 60V 1.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055 高速开关/低导通电阻/低电压驱动

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 15V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.12Ω/Ohm @750mA,5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.1W Description & Applications| • Avalanche Energy Specified • IDSS and VDSon Specified at Elevated Temperature 描述与应用| IDSS和VDS(上)指定的高温


MMFT3055VL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.5A

封装参数

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMFT3055VL
型号: MMFT3055VL
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:MMFT3055VL N沟道MOSFET 60V 1.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 3055 高速开关/低导通电阻/低电压驱动
替代型号MMFT3055VL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMFT3055VL

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMFT3055VLT1

安森美

功能相似

MMFT3055VL和MMFT3055VLT1的区别

MMFT3055VLT3

摩托罗拉

功能相似

MMFT3055VL和MMFT3055VLT3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台