MJ21194参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJ21194概述

互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

16 AMP COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 250 WATTS

The MJ21193 PNP and NPN utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

Features

•Total Harmonic Distortion Characterized

•High DC Current Gain − hFE= 25 Min @ IC= 8 Adc

•Excellent Gain Linearity

•High SOA: 2.5 A, 80 V, 1 Second

•Pb−Free Packages are Available

.

MJ21194中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 16.0 A

极性 NPN

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 16A

最小电流放大倍数hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJ21194

型号： MJ21194

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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