氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术内部匹配 GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched
RF Mosfet HEMT 50V 400mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 19.22dB 500W
得捷: TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ
频率 1.2GHz ~ 1.4GHz
输出功率 500 W
增益 19.22 dB
测试电流 400 mA
额定电压 65 V
封装 Ceramic-2
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册