MJD210TF参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD210TF概述

Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa

- 双极 BJT - 单 PNP 65MHz 表面贴装型 D-Pak

得捷:
TRANS PNP 25V 5A DPAK

艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

MJD210TF中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： MJD210TF

描述：Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa

替代型号MJD210TF